Diseño y construcción del equipo de pruebas de amplificadores a transistor (E.P.A.T.)

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Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.contributor.author	Guevara Espinosa, Luis Armando	-
dc.contributor.author	Jaramillo Echeverría, Alex Vicente	-
dc.date.accessioned	2015-05-29T16:00:51Z	-
dc.date.available	2015-05-29T16:00:51Z	-
dc.date.issued	1998-02	-
dc.identifier.uri	http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/10610	-
dc.description.abstract	Contempla el diseño, construcción y pruebas experimentales de un equipo que permite la observación de las características principales de los transistores bipolares de juntura (TBJ) y transistores de efecto de campo (JFET) en la pantalla de un osciloscopio de rayos catódicos normal. Este equipo, EPAT, permite además conocer el comportamiento de los transistores dentro del circuito amplificador: recta de carga y punto de trabajo; análisis visual de las causas de distorsión; chequeos del comportamiento térmico y respuesta de frecuencia de un transistor cualquiera.	es_ES
dc.description.sponsorship	Sánchez Almeida, Tarquino	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.publisher	Quito : EPN, 1998.	es_ES
dc.rights	openAccess	-
dc.rights.uri	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/	-
dc.subject	Transistores bipolares	es_ES
dc.subject	Transistores de efecto de campo con puerta de enlace	es_ES
dc.title	Diseño y construcción del equipo de pruebas de amplificadores a transistor (E.P.A.T.)	es_ES
dc.type	bachelorThesis	es_ES
Aparece en las colecciones:	Tesis Electrónica y Telecomunicaciones (IET)

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