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http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/10610| Título: | Diseño y construcción del equipo de pruebas de amplificadores a transistor (E.P.A.T.) |
| Autor: | Guevara Espinosa, Luis Armando Jaramillo Echeverría, Alex Vicente |
| Palabras clave: | Transistores bipolares Transistores de efecto de campo con puerta de enlace |
| Fecha de publicación: | feb-1998 |
| Editorial: | Quito : EPN, 1998. |
| Resumen: | Contempla el diseño, construcción y pruebas experimentales de un equipo que permite la observación de las características principales de los transistores bipolares de juntura (TBJ) y transistores de efecto de campo (JFET) en la pantalla de un osciloscopio de rayos catódicos normal. Este equipo, EPAT, permite además conocer el comportamiento de los transistores dentro del circuito amplificador: recta de carga y punto de trabajo; análisis visual de las causas de distorsión; chequeos del comportamiento térmico y respuesta de frecuencia de un transistor cualquiera. |
| URI: | http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/10610 |
| Tipo: | bachelorThesis |
| Aparece en las colecciones: | Tesis Electrónica y Telecomunicaciones (IET) |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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