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Campo DCValorLengua/Idioma
dc.contributor.authorACURIO MENDEZ, ELIANA MARIBEL
dc.date.accessioned2023-09-12T17:03:51Z-
dc.date.available2023-09-12T17:03:51Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.urihttp://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/24812-
dc.descriptionObjetivo general - Realizar estudios de confiabilidad en diodos de potencia (200V y 650V) basados en Nitruro de Galio usando factores de aceleración de voltaje y temperatura para identificar los mecanismos de degradación durante el estado de encendido y determinar si los dipositivos referenciales y sus diferentes variaciones en cuanto materiales y estructura del ánodo alcanzan el tiempo de vida estimado de 10 años.
dc.language.isoes
dc.titlePII-DFIS-2019-05 - Estudio de confiabilidad de diodos de potencia basados en tecnología GaN
dc.typeOther
Aparece en las colecciones:2019 (PI - DFIS - VIIV)

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