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http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/23493| Título: | Caracterización dieléctrica y de conductividad de un substrato FR4 utilizando resonadores circulares en tecnología microstrip para la Banda L. |
| Autor: | Quinapaxi Cabrera, Evelyn Monserrate |
| Palabras clave: | TANGENTE DE PÉRDIDAS CONDUCTIVIDAD SISTEMAS DE TRANSMISIÓN INGENIERÍA DE MICROONDAS |
| Fecha de publicación: | oct-2022 |
| Editorial: | Quito : EPN, 2022. |
| Citación: | Quinapaxi Cabrera, E.M.(2022). Caracterización dieléctrica y de conductividad de un substrato FR4 utilizando resonadores circulares en tecnología microstrip para la Banda L.53 páginas. Quito : EPN. |
| Resumen: | This project presents a dielectric and conductivity characterization of a FR4 substrate by matching measured and simulated results of resonators in microstrip technology in the L band. First, Chapter 1 briefly describes the dielectric media characteristics and the methods used by their characterization. Furthermore, the implementation of a ring resonator method is described. Chapter 2 details the design, modeling, and implementation of five ring resonators for the L band at the following resonant frequencies: 1 GHz, 1.25 GHz, 1.5 GHz, 1.75 GHz, and 2 GHz. In the same way, an excitation structure for the resonators is presented. Additionally, the physical implementation of the 5 manufactured resonators is shown. Chapter 3 presents the results obtained after the adjustment between simulated and measured parameters of parameter S21. An error analysis is performed based on the resonant frequency, bandwidth, and transmission parameter. Chapter 4 presents the conclusions and recommendations derived by this project. |
| Descripción: | El presente trabajo de titulación presenta la caracterización dieléctrica y de conductividad de un substrato FR4 mediante el emparejamiento de resultados medidos y simulados de resonadores en tecnología microstrip para la banda L. En primer lugar, el Capítulo 1 describe brevemente las características de los medios dieléctricos y métodos utilizados para su caracterización, así también, se describe el método de resonador en anillo implementado en lo posterior. En el Capítulo 2 se detalla el diseño, modelado e implementación de cinco resonadores circulares tipo anillo para la banda L a las frecuencias de resonancia: 1 GHz; 1,25 GHz; 1,5 GHz; 1,75 GHz y 2 GHz. Asimismo, se presenta una estructura de excitación para los resonadores. Además, se muestra la implementación física de los 5 resonadores manufacturados. El Capítulo 3 presenta los resultados obtenidos luego del ajuste entre parámetros simulados y medidos del parámetro S21. Se realiza un análisis de errores basado en la frecuencia de resonancia, ancho de banda y parámetro de transmisión. El Capítulo 4 expone las conclusiones y recomendaciones derivadas del presente trabajo. |
| URI: | http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/23493 |
| Tipo: | bachelorThesis |
| Aparece en las colecciones: | Tesis Electrónica y Telecomunicaciones (IET) |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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