Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/10610
Título : Diseño y construcción del equipo de pruebas de amplificadores a transistor (E.P.A.T.)
Autor : Guevara Espinosa, Luis Armando
Jaramillo Echeverría, Alex Vicente
Palabras clave : Transistores bipolares
Transistores de efecto de campo con puerta de enlace
Fecha de publicación : feb-1998
Editorial : Quito : EPN, 1998.
Resumen : Contempla el diseño, construcción y pruebas experimentales de un equipo que permite la observación de las características principales de los transistores bipolares de juntura (TBJ) y transistores de efecto de campo (JFET) en la pantalla de un osciloscopio de rayos catódicos normal. Este equipo, EPAT, permite además conocer el comportamiento de los transistores dentro del circuito amplificador: recta de carga y punto de trabajo; análisis visual de las causas de distorsión; chequeos del comportamiento térmico y respuesta de frecuencia de un transistor cualquiera.
URI : http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/10610
Aparece en las colecciones: Tesis Electrónica y Telecomunicaciones (IET)

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
T1322.pdf3,83 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Este ítem está protegido por copyright original



Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.